2026年1月25日，印度國防研究與發展組織（DRDO）高調宣佈，該國氮化鎵（GaN）雷達技術取得重大突破，其機載有源相控陣雷達（AESA）已完成高原極寒環境測試，標誌着印度成爲全球第六個掌握該技術的國家。
然而在這份成績背後，卻藏着一個令人尷尬的工業真相——印度能自主研發氮化鎵雷達，中國“功不可沒”。
氮化鎵技術的難點，在於需要大量的鎵作爲研發材料。而鎵元素的主要來源，則是電解鋁產業。作爲電解鋁的副產品，鋁的產能越多，鎵就越多。
美國早就掌握了氮化鎵技術，卻無法量產，原因就在於產業空心化導致電解鋁產能不足，產生不了足夠的鎵元素進行研發和生產。
2010年，美國的電解鋁產量尚有150萬噸，但到了2025年，則只剩下65萬噸了。而印度則從2010年的200萬噸，猛增到2025年的460萬噸。
【賈爾古達鋁廠的一條生產線】
這背後都是來自中國的技術。韋丹塔集團旗下的賈爾蘇古達鋁廠採用瀋陽鋁鎂設計院的560kA大型預焙槽技術，電流效率達94%，比傳統工藝降低20%能耗。
巴拉特鋁業在奧里薩邦的新廠則全套引進貴陽鋁鎂院的智能控制系統，通過機器學習優化電解槽熱平衡，使得每噸鋁的鎵回收率提升至120克。
這些被印度媒體稱爲“國家榮耀”的鋁業巨頭，其車間裏運轉的核心設備——從陽極組裝機到煙氣淨化塔幾乎都貼着“中國製造”的標籤。
如果沒有中國“交鑰匙”式的電解鋁技術輸出，印度的基礎工業底座恐怕還在遠古時代徘徊，更別提去折騰什麼1000攝氏度高溫下工作的黑科技芯片了。
印度所謂的“自律進化”，其實是站在了中國作爲全球工業母機輸出國的肩膀上。
雖然我們還沒有直接輸出鎵提煉工藝，但印度卻因爲鋁工業基礎的發展，大大降低了探索成本，並在2023年攻克單片微波集成電路。
印度國防材料研究所（DMRL）的報告顯示，其氮化鎵芯片所用的4N級（純度99.99%）高純鎵，90%原料來自本國鋁廠殘渣提純。
而提純工藝中關鍵的分子蒸餾塔和區域熔鍊設備，正是2018年從中國某集團引進的二手民用產線改造而成。
印度在2023年突破的MMIC（單片微波集成電路）技術，其原型與國內某5G基站使用的氮化鎵功率放大器存在架構相似性，中國工程師在IEEE期刊發表的論文，意外成爲印度科研人員的“技術路線圖”。
2023年7月，我國開始實施鎵出口管制，短期內導致國際鎵價暴漲300%，卻迫使印度啓動“鎵元素自主計劃”。
塔塔先進材料公司僅用18個月就建成從鋁土礦渣到電子級鎵的完整產線，其採用的真空脫氧法正是我國某科研所2015年的專利技術。
與此同時，我國消費電子產業也在無意中充當了印度的技術試驗場，如某手機120W氮化鎵快充的拆解視頻在印度軍工論壇被反覆研究，成爲印度工程師分析氮化鎵器件熱管理特性的現成教材。
【印度新一代反輻射導彈Rudram-1脫離蘇-30MKI戰鬥機掛架的瞬間】
印度國家鋁業公司（NALCO）技術總監拉吉夫·夏爾馬所言：“我們站在中國肩膀上看清了下一代雷達的輪廓。
雖說技術擴散是不可逆的工業規律，但我們手把手的對印度輸出各種工業，最終會變成一個套在我們脖子上的絞索。
有些技術，就算已經過時，爛在哪裏，也別想着拿去換錢。現在我們等於給對手遞了一把劍，讓對方將來殺我們的時候更方便了。
