近日，SK海力士在超級計算大會2025上展示了全球首個12層堆疊的HBM4內存芯片，其單顆芯片集成了2048個I/O通道，帶寬飆升同時功耗效率提升40%，與前代HBM3相比，HBM4運行速度提高60%以上、數據傳輸速率達到10Gbps，大幅超越了JEDEC標準規定的8Gbps。
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據悉，早在今年3月份SK海力士就向英偉達等主要客提供了12層HBM4樣品，今年九月份完成開發並全球構建量產體系。而11月份SK海力士與英偉達達成的HBM4供應協議中，單顆產品定價已然突破560美元，現階段SK海力士HBM4產能已被全部預定，英偉達Rubin芯片、AMD MI400等新一代AI加速器均在採用HBM4架構。
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據介紹，SK海力士通過增加芯片堆疊層數和先進接口設計來實現帶寬升級；通過自主創新的Advanced MR-MUF技術，來控制芯片堆疊時的翹曲現象從而顯著提升散熱性能和穩定性。如圖，超級計算大會2025上SK海力士聯合英偉達展出的GB300平臺就採用HBM4內存方案，其擁有2048個I/O通道、11Gbps數據傳輸速率、12Hi 24GB 顆粒堆疊。
數據顯示在當下HBM市場競爭中，SK海力士擁有全球62%市場佔有率，其已然控制英偉達超90%的HBM產品供應。而擁有半導體生產線的三星電子才憑藉HBM3E技術機身英偉達供應鏈，而美光目前正在進行的HBM4設備採樣，數據傳輸速率只有9.2 GT/s。
隨着SK海力士第六代HBM4內存技術迭代、產能升級，三星、美光面臨的技術、市場壓力會越來越大，在未來AI算力革命中誰能在技術迭代速度、產能釋放效率與客戶綁定深度上形成綜合優勢，誰才能真正站穩跟腳，市場留給SK海力士、三星的機遇都很大。
