摘要：一季度，三星利潤達57.2萬億韓元（約2598億元），逐步逼近英偉達單季度的429億美元（約2941億元），已經超過了騰訊2025年全年利潤（2248億元）。
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作者｜路春鋒
編輯｜董雨晴
“95%利潤源於內存”，是“AI通脹”信號
今天，三星電子公佈了2026年一季度業績預告，交出了一份刷新歷史的炸裂成績單：單季營收133萬億韓元（約合881億美元），利潤57.2萬億韓元（約合379億美元）。
圖源｜三星電子官網
這一利潤數字比去年同期的6.69萬億韓元暴增了755%，是公司歷史單季紀錄的近3倍，甚至超過三星2025年全年43.6萬億韓元的總利潤。
細看這份業績會發現，數據背後是一場極端的利潤結構重構。在三星電子57.2萬億韓元的營業利潤中，外界普遍認爲“強勁的AI芯片需求是利潤增長的關鍵因素”。其中，美利茲證券預計，三星的芯片部門（Samsung’s chip division）實現了約54萬億韓元的營業利潤，約佔總額的95%，而其手機、顯示、家電等傳統業務只貢獻了約4萬億韓元。
可以說，這份業績並非簡單的行業週期性復甦，而是AI算力需求爆炸下，全球硬件成本“通脹”的信號。
具體來看，三星利潤暴漲的核心，是存儲芯片價格的“失控式”上漲。作爲AI時代的“數字石油”，HBM（高帶寬內存）的價格在很短的時間內經歷了一輪史詩級上漲。據TrendForce（集邦諮詢）數據，2025年初主流HBM價格約30美元/顆，而到了今年一季度，同規格的產品售價已達120-150美元/顆，漲幅約300%～400%。
而據CounterPoint等三方研究機構測試，三星的HBM產品的整體市佔率約25%～30%，僅次於SK海力士。HBM價格上漲，讓三星多了一頭“利潤奶牛”。
更具衝擊力的是服務器DRAM（運行內存）。受AI服務器“海量喫內存”拉動，今年一季度DRAM合約價環比暴漲90%~95%，近乎翻倍。TrendForce數據顯示，主流服務器DDR5價格單季跳升近一倍，且三星已與客戶敲定今年二季度價格再漲30%的協議。
此外，NAND閃存（存儲內存）在今年一季度的整體合約價也環比上漲了55%～60%。而三星是全球最大的NAND閃存廠商之一，市佔率穩居前列。
從HBM到通用DRAM、再到NAND閃存，漲價已從高端局部擴散至全品類。而作爲全球存儲龍頭之一，三星也憑藉在這三大品類上的規模與定價優勢，直接喫下了這一輪漲價紅利，成爲最核心的受益者之一。
硬件通脹背後，由消費者買單？
從三星電子一季度的業績結構中不難看出，其利潤的暴漲並非來自產品創新或銷量爆發，而是價格上漲。
這意味着，AI 算力需求正在改寫電子行業傳統的定價邏輯，讓原本週期性波動的存儲市場，進入一輪非常規的價格上漲通道。
歷史上，DRAM 與 NAND 閃存價格漲跌本是常態，行業長期處於 “供需失衡 — 價格波動 — 產能調整 — 再平衡” 的週期運動中，漲價通常被視爲行業復甦的正常信號。
但本輪上漲從根源上就偏離了傳統週期：起點是 AI 大模型與算力中心爆發，帶動了 HBM 高帶寬內存與高性能服務器 DRAM 需求上漲。市場最初判斷，AI只會拉動“高端存儲”，屬於結構性利好。
但現實中的變化更爲複雜。一方面，AI 需求並未停留在 HBM 單點，而是快速向全存儲品類外溢，普通服務器 DRAM 與企業級 NAND 需求同步激增。另一方面，三星、海力士等廠商將產能優先投向高毛利的AI 存儲，進一步擠壓普通的消費級存儲供給。多重因素影響下，漲價逐漸從高端局部蔓延至全品類。
當全品類存儲都同步漲價，他的性質就已經超越行業週期，更像是一場由AI驅動的 “硬件通脹”。
問題是，這種硬件通脹，會如何反噬終端行業？
上游漲價肯定不會止步於芯片環節，必然向下遊傳導，那麼手機、PC、汽車電子等終端行業都將面臨成本上漲的壓力。三星財報中，存儲業務包攬絕大部分利潤、手機等傳統業務利潤被明顯擠壓，就是這種成本傳導的信號。
面對剛性上漲的存儲成本，終端廠商會如何應戰？是壓縮自身利潤空間，以價換量維持市場份額？還是將成本壓力轉嫁給消費者，提高終端售價？
無論選擇哪條路徑，壓力都會沿着產業鏈傳遞。AI 帶來的上游紅利，正逐步轉化爲下游的成本負擔，而這輪硬件通脹的最終買單者，很可能落到每一位普通消費者身上。
